GaN.氮化镓技术资讯-电子产品世界网

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最...

GaN 氮化镓 2026-05-08

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链...

800V GaN 2026-04-23

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

意法半导体集成保护功能的氮化镓栅极驱动器

意法半导体（STMicroelectronics）推出两款半桥氮化镓（GaN）栅极驱动器，专为电源转换与运动控制系统的高速开关应用设计。产品通过在单芯片内集成核心控制与保护功能，助力实现更紧凑、更高效的系统方案。对于从事...

运动控制电源 2026-04-14

英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12...

英特尔氮化镓 2026-04-14

意法半导体推出氮化镓高速半桥栅极驱动器

意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管...

STDRIVEG212 STDRIVEG612 2026-04-07

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（S...

第三代半导体 SiC 2026-03-31

家用与AI数据中心供电全面升级

全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、P...

AI数据中心 GaN 2026-03-31

瑞萨通过双向650V GaN开关实现了功耗效率提升

瑞萨电子推出业内首款双向 650V 级氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应用中的功率转换设计。该公司表示，新款 TP65B110HRU 在单颗器件中集成了双向电流阻断功...

瑞萨电子氮化镓 2026-03-25

三星加速布局第三类半导体，8寸GaN产线预计2026年投产

据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着...

三星第三类半导体 2026-03-23

氮化镓，全面起飞

2026 年 3 月，当全球半导体产业仍在后摩尔定律的迷雾中探索前行时，氮化镓（GaN）正以惊人的速度从「替代技术」蜕变为「必需技术」。Yole 与集邦咨询的最新数据为这一判断提供了坚实注脚：2026 年全球 ...

氮化镓 2026-03-16

英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN Drive HB 600 V G5

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款...

英飞凌集成式半桥 2026-03-04

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

罗姆加强GaN功率器件供应能力

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将...

罗姆 GaN 2026-03-02

TI:氮化镓赋能人形机器人高效电机关节

德州仪器(TI)正研发氮化镓功率器件，为人形机器人打造更小型、更高能效的电机关节。随着全身人形机器人的兴起，支撑其运动的电机控制器、功率电子器件和散热系统，必须提供比以往更强的动力、更高的精度和更高的效率。为了实现与人类...

氮化镓人形机器人 2026-02-28

英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长

● 至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%● 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构● GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场氮...

英飞凌 GaN 2026-02-11

人工智能与机器人技术推动氮化镓功率器件市场爆发

氮化镓（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能数据中心、机器人、电动汽车、可再生能源等多个行业，同时还切入数字医疗、量子计算等新兴领域，这一趋势推动氮化镓市场从今年到 2030 年实现显著增长。尤其在数据中心市场，采用新型...

人工智能机器人 2026-02-11

台积电向世界先进与格芯授权GaN技术

在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复...

台积电格芯 2026-02-02

意法半导体推出面向电机控制的全新氮化镓（GaN）IC平台，助力家电能效升级

意法半导体近日推出全新的智能功率器件，使家用电器和工业驱动设备能够利用最新的氮化镓（GaN）技术，显著提升能效、增强性能并降低成本。目前市场上已有的GaN电源适配器和充电器可为笔记本电脑和USB-C快充提供高功率输出，并...

意法半导体氮化镓 2026-01-29

高密度直流-直流转换器从电网延伸到车厢再到铁芯

从以可再生能源为主的电网到人工智能数据中心，各领域的电力需求都在持续攀升，这也对电力电子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空间内实现更优性能。电力的传输需要经过复杂的直流 - 直流转换流程，电压等级会从电网的高压逐步...

高密度转换器 2026-01-23

小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而...

安森美 GaN 2026-01-19

英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新

简介英飞凌正式推出CoolGaN 100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标准的预量产样品，包括CoolGaN高压（HV）车规级晶体管及多种双向开关。此举彰显了英飞凌为满足汽车行业不断变化的...

英飞凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

难以捉摸的蓝色LED：研究人员最终是如何取得胜利的？

很难想象，首款蓝光 LED 的问世时间竟然晚至 1993 年。这类器件看似构造简单，但表象往往具有迷惑性（见图 1）。1. 图像显示一个蓝色InGaN基LED带金线触点（0.4 × 0.4毫米）（a）。作为商业产品包装的...

LED 亚硒化锌 2026-01-15

氮化镓上车进行时：从器件特性到系统效率的全面验证

_____2025年12月，汇川联合动力与英诺赛科共同宣布，采用650V氮化镓的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新能源汽车领域迈出关键一步。该系统将车载充电器与车载直流变换器高度集...

氮化镓上车氮化镓 2026-01-08

GlobalFoundries与onsemi合作开发200毫米氮化镓产品组合

Globalfoundries（GF）与OnSemi签署协议，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工艺开发和制造先进氮化镓功率产品。初期开发重点将是用于AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航...

GlobalFoundries onsemi 2025-12-19

在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项

本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望...

开关模式电源氮化镓 2025-12-15

恩智浦将关闭ECHO Fab晶圆厂，退出氮化镓5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，参考媒体 Light Reading 报道，NXP 恩智浦已做出了关闭亚利桑那州钱德勒 ECHO Fab 晶圆厂的决定，该企业也将退出氮化镓 (GaN) 半导体 5G PA（功率放大器）芯片的制造...

恩智浦 ECHO Fab 2025-12-15

JFS宣布氮化镓动力模块取得新突破，准备进行试点规模验证

2025年12月4日，九风山（JFS）实验室宣布了一项重大技术突破——氮化镓（GaN）动力模块的成功开发。这些大约拇指大小的“黑盒子”，每个大约有百万个缩略图，可以集成到一个1吉瓦（10亿瓦）的超大规模AI计算柜中。一旦...

氮化镓 AI 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太阳能系统的界限

太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统...

TOLL GaN 太阳能系统 2025-12-12

技术干货 | 借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

TI TOLL 2025-12-11

设计中的辐射硬质：下一代航天与国防系统的氮化镓半导弹

航天器必须搭载抗辐射（rad-hard）电子设备，因为辐射极易导致电子器件故障。因此，电源管理器件对于为卫星和航天器上的所有电子设备供电至关重要，尤其是当航天器内有宇航员时。例如，深空任务可能会遭遇背景辐射产生的中子、放...

航天器抗辐射 2025-12-09

美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉

● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关...

美国国际贸易委员会英飞凌 2025-12-06

安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

安森美（onsemi）近日宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器...

安森美英诺赛科 2025-12-05

安塞米与中国Innoscience合作开发低/中压氮化镓样

onsemi与Innoscience于12月2日签署了谅解备忘录（MoU），加快氮化镓（GaN）电源设备的部署，起步于40–200V电压产品。安塞米预计采样将在2026年上半年开始，正如其新闻稿所述。该合作旨在将Onse...

氮化镓 2025-12-04

ST宣布用于运动控制的GaN集成电路平台

意法半导体发布了新的智能电源组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的...

ST 运动控制 2025-12-02

STicroelectronics 新的 GaN 集成电路运动控制平台提升了电器能耗

意法半导体发布了新的智能电力组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓（氮化镓）技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以...

意法半导体 GaN ICs 2025-12-01

Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源

全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innosc...

Allegro 英诺赛科 2025-11-26

英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器

英飞凌科技股份公司近日宣布将为Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮化镓（GaN）技术。Enphase Energy是一家全球领先的能源技术公司，同时也是光伏及电池系统微...

英飞凌氮化镓 2025-11-24

【电动车和能效亮点】格罗方德与台积电携手，推进面向多元应用场景的氮化镓技术研发

格罗方德（GF）日前宣布，与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术达成技术许可协议。这一战略布局将加速格罗方德面向数据中心、工业和汽车电源应用的下一代氮化镓产品的开发，并为全球客户提供美国本土的氮化镓产能。Sour...

格罗方德台积电 2025-11-20

基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器，支持医疗和工业技术应用中的快速充电

基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器，支持医疗和工业技术应用中的快速充电...

氮化镓 PD充电器 2025-11-12