- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
- 全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件產品分銷商 Digi-Key Electronics，榮獲 Nexperia 頒發的 2021 年度電子零售商獎，Nexperia 是半導體基礎元器件生產領域的高產能權威專家之一。Digi-Key 榮獲 Nexperia 頒發的 2021 年度電子零售商獎Digi-Key 全球供應商管理副總裁 David Stein 表示：“我代表整個 Digi-Key 團隊，感謝 Nexperia 授予我們這一巨大榮譽。在這個前所未有的時刻，能得到
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Nexperia Digi-Key 電子零售商獎
- 奈梅亨，2022年10月12日：基礎半導體器件領域的高性能生產專家Nexperia今天宣布推出其快速擴展的銅夾片FlatPower (CFP)封裝二極管系列的最新產品，主要應用于工業和汽車領域。此最新產品含有32個平面肖特基二極管以及8個超快速恢復整流二極管，均封裝在CFP15B中。包含通用型號和符合AEC-Q101車規標準的帶Q的器件。通過將多種版本的器件推向市場，Nexperia強調了其擴大產能、加快向體積更小和熱優化的封裝過渡的承諾。讓工程師僅從一家供應商即可獲取市場上最為廣泛的CFP封裝二極管產品
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Nexperia CFP 功率二極管
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產品組合。該產品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監視器、顯示器和攝像頭等高速數據線。此外，該產品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術聯盟MGbit以太網應用。 新晉產品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時優化了布線靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
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Nexperia 超低電容 ESD 保護二極管 汽車數據接口
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
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Nexperia 晶圓級 MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中，成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產品設計帶來了若干挑戰。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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Nexperia MOSFET
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出其電平轉換器系列的新晉產品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實現下一代低壓手機基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個位數納米節點發展，先進SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發展趨勢導致對電壓轉換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標準處理設備和I/O端口（如傳統的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉換器，支持主機處理器側1.08 V至1
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Nexperia 電平轉換器 手機SIM卡
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經優化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數據線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術，集低鉗位、低電容和高穩健性優勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統
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Nexperia USB4 ESD 二極管件
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創新型封裝技術相結合，可以滿
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Nexperia KYOCERA 氮化鎵 功率模塊
- 基礎半導體領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現代汽車架構中，
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Nexperia CFP2-HP 二極管 FlatPower
- 基礎半導體領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。 在現
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Nexperia CFP2-HP 二極管
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合，重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術
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Nexperia 自動安全氣囊 MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日公布2021年財務業績，數據顯示公司在所有領域均實現強勁增長。這家半導體制造公司專門供應分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營收同比增長49%，達到21.4億美元。這意味著Nexperia的業績表現優于整個半導體市場，公司市場份額得以提高1%，達到9.4%。 過去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經處于行業前沿，完全符合汽車行業的最高標準，且能提供全面的產品組合。Nexperia首席財務官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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- 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節省空間，有助于滿足下一代智能電動汽車的應用需求。Nexperia的所有產品系列都符合AEC-Q101標準，包括： · 采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管。· &nbs
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Nexperia 小型DFN封裝 分立器件
- Nexperia近日宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著2030年成為全球基礎半導體領軍企業的既定目標又邁出了重要的一步。達拉斯設計中心是Nexperia在北美地區設立的第一家研發機構，專注于開發模擬信號轉換和電源管理IC。新研發中心由Nexperia電源和信號轉換業務部門總經理Irene Deng領導，她表示：“達拉斯設計中心代表了公司的一個關鍵里程碑，一方面是因為它體現了Nexperia在北美推進研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia 設計中心
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