3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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3D NAND 存儲器
對大多數人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。 為了紀念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
據國外媒體報道，原本在6月底就應該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。
在得到審計機構的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。
由于美國核電業務減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。
在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
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東芝 閃存
三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤。
三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發表的Z-NAND產品也開始出樣，據稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。
三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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V-NAND NVMe
文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產化閃存顆粒，已刻不容緩。
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閃存 芯片
相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。
如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
其
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三星 V-NAND
日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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東芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。 SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
由于財務狀況惡化，日本東芝公司已經被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經越來越近，但是時至今日，轉讓閃存芯片業務的進展卻并不順利。據外媒最新消息，面對東芝高管所表現出的領導無方，日本政府已經全面介入到這一轉讓交易中。
按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業務以大約180億美元的價格，轉讓給一個美日韓聯合體，其中包括日本開發銀行、日本產業革新機構、美國貝恩資本、韓國海力士半導體，不過東芝的芯片業務合資伙伴西部數據，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經述諸法律手段。
有消息稱，由于和西部
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東芝 閃存
根據韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產業更多的支持，以解決人才荒的問題。
報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產業自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產業是第 4 次工業革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續為半導體與設備產業供應需要的人才。
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三星 NAND
受NAND Flash供貨緊張影響，以及數據中心、企業、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續走高。根據ZDC統計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
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2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現下滑，再加上NAND Flash的價格持續走高，高價壓力下的SSD市場呈現一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態硬盤的關注度有所回升。
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固態硬盤 NAND
IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
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DRAM NAND
韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
作為世界最大的記憶芯片生產商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來推動NAND閃存的
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NAND 三星
ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環劃下休止符。
ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
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DRAM NAND
如今，機械硬盤持續大幅滑坡，這讓西數、希捷兩大廠商不得不做戰略轉型向SSD市場。 眾所周知，機械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業競爭也非常激烈。最后，全球的機械硬盤被西部數據、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購或直接淘汰。 在這其中，東芝是最先轉型到固態硬盤領域的，今年年初，據外媒報道，東芝方面吐露將不再考慮生產15KHDD新品。 再來看看希捷的情況，今年年初關閉蘇州工廠后，又低調的關閉了位于韓國的HDD研發中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機械硬盤。閃存市
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閃存 HDD
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