igbt 文章最新資訊

我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

　　“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計今年年底能實現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時代電氣總經(jīng)理李東林告訴記者。　　五年前，南車時代電氣成功并購世界知名半導(dǎo)體企業(yè)丹尼克斯公司75%的股權(quán)，成為我國軌道交通企業(yè)首宗跨國并購案例。并購后，南車時代電氣對丹尼克斯改造整合，投入數(shù)億元，將其原有的4英寸IGBT芯片生產(chǎn)線升級為6英寸芯片生產(chǎn)線，新開發(fā)多個1
關(guān)鍵字： IGBT 芯片

藍(lán)牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

藍(lán)牙4.0超越過往三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展　　微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā) ...
關(guān)鍵字：藍(lán)牙 IGBT

詳解全數(shù)字IGBT后極高頻機的全過程

性能指標(biāo)：1、功率800W可調(diào)。2、IGBT后級，適應(yīng)性強。3、后極單脈沖及多脈沖(混頻、超聲波)兩種輸出方式可通過...
關(guān)鍵字： IGBT 高頻機

UC3844的多路輸出IGBT驅(qū)動電源設(shè)計

近年來，隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫吹捏w積、重量、效率等方面提出了越來越高的要求。單端反激...
關(guān)鍵字： UC3844 多路輸出 IGBT 驅(qū)動電源設(shè)計

逆變器走向整合 IGBT芯片技術(shù)提升能源效率

　　據(jù)市場研究機構(gòu)IHSiSuppli旗下IMSResearch相關(guān)報告透露，隨著光伏逆變器供應(yīng)市場在2012年進(jìn)一步分化，今年一季度全球十大逆變器供應(yīng)商市場總占有率下滑逾4%。IMSResearch認(rèn)為，一部分原因在于中國及日本市場需求量的強勁增長，而全球十大逆變器供應(yīng)商中的大多數(shù)企業(yè)在這兩個市場的業(yè)務(wù)較為有限，這給中國本土逆變器企業(yè)提供很好的發(fā)展機會。　　今年，多家國際知名光伏逆變器供應(yīng)商被收購兼并，或破產(chǎn)、退出市場，引發(fā)了部分地區(qū)光伏逆變器產(chǎn)業(yè)的整合，但是眾多新興市場尤其是中國和日本兩大光伏
關(guān)鍵字：逆變器 IGBT

設(shè)計全數(shù)字IGBT后極高頻機的全過程

本機采用高性能單片機處理數(shù)據(jù)性能指標(biāo)：1、功率800W可調(diào)。2、IGBT后級，適應(yīng)性強。3、后極單...
關(guān)鍵字： IGBT 高頻機

EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅(qū)動器

2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動器。
關(guān)鍵字：英飛凌驅(qū)動器 IGBT MOSFET

探討逆變焊機IGBT炸管的原因及保護措施

限于對開關(guān)器件及主電路結(jié)構(gòu)工作原理的理解及檢測手段的缺乏，大功率逆變焊機開關(guān)器件工作的可靠性是整機設(shè)計...
關(guān)鍵字：逆變焊機 IGBT

國產(chǎn)IGBT前景看好，但突破之路頗曲折

隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件；而在中國市場 ...
關(guān)鍵字：國產(chǎn) IGBT

一種逆變H橋IGBT單管驅(qū)動以及工作保護方案

大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里...
關(guān)鍵字：逆變H橋 IGBT 單管驅(qū)動

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動器設(shè)計

引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

利用安森美IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用

今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案，以實現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上，電子設(shè)計人員首選可以實現(xiàn)高能效的器件，而且要針對不同應(yīng)用選擇合適的IGBT。
關(guān)鍵字：安森美 IGBT 太陽能逆變器電機驅(qū)動

功率MOSFET的由來及結(jié)構(gòu)原理淺談

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制...
關(guān)鍵字：功率MOSFET IGBT 二極管

淺析讓IGBT更快的技巧

IGBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴(yán)重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構(gòu)成：1）IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲...
關(guān)鍵字： IGBT 開關(guān)損耗

揭秘IGBT市場成長的動力來源

據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場的成長動力來源。
關(guān)鍵字： IGBT 晶圓馬達(dá)驅(qū)動器

共694條 27/47 |‹ « 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 » ›|

igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]