- 目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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臺積電 ASML High-NA EUV 2nm
- 荷蘭半導體設備巨頭、芯片制造光刻機的主要供應商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發布了 2025 年第三季度財報。結果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強勁，但也對 2026 年對中國的銷售額將大幅下降發出了嚴厲警告。雖然該公司試圖向投資者保證整體增長將保持穩定，但這一消息凸顯了芯片行業不斷升級的地緣政治緊張局勢。以下是主要亮點的細分。財務業績ASML 公布了穩健的第三季度業績，盡管凈利潤持平，但預訂量超出預期：凈銷售額：77 億歐元，同比增長 8%，但略低于分析師預
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ASML EUV 芯片工具
- 據《韓國經濟日報》報道，據報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已經在其華城市園區運營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統將標志著其首次旨在大規模生產的收購。報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統的研發版本，但尚未將其部署用于商業規模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經訂購了生產級高NA EUV系統。據報道援引消息人士
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三星 ASML 高數值孔值 EUV
- 荷蘭半導體設備制造商ASML第三季訂單表現優于分析師預期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業大規模投資AI領域、對芯片制造設備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASML發布了2025年第三季度財報，財報顯示第三季度實現凈銷售額75億歐元，凈利潤21億歐元，毛利率為51.6%，整體表現符合此前預期。更值得關注的是，本季度新增訂單金額達到54億歐元，其中EUV（極紫外光刻）訂單高達36億歐元，占比超過三分之二，充分反映出全球半導體制造商對先進制程光刻設備的
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ASML 財報 EUV
- 據Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機。2019年首次于華為麒麟9000處理器導入EUV后，臺積電持續控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經過多年的積累，臺積電目前已經累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進制程擴產需要。自2019年以來，臺積電通過自身的系統級優化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光
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臺積電 EUV 晶圓 Pellicle 光罩保護膜
- 根據 The Elec 報道，援引行業消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關重要的組件。報道稱，三星據說正在外包低端光掩模用于內存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產。本月早些時候，三星據報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內存生產的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術的
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EUV 光刻機 掩膜 三星
- 臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產極紫外薄膜，并將這種生產引入內部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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臺積電 舊晶圓廠 EUV 薄膜生產
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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EUV 光刻機 ASML 海力士
- 根據韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用報告援引行業消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業提供服務。報告還指出，據稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——
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EUV 光刻機
- 據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
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半導體 high-NA EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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臺積電 1.4nm 高數值孔徑 EUV
- 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時沒有計畫在A14及其后續制程中導入。路透27日報導，這款先進機臺價格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現有最昂貴設備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細評估，這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術開發資深副總經理張曉強表示，即便不使用High-N
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臺積電 ASML EUV 機臺
- 據 The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產。到目前為止，該公司一直在內部生產所有光掩模，以防止技術泄漏。Elec 表示，據報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術競爭力的關鍵。據 Business Korea 援引消
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三星 低端光掩模 ArF EUV
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產業務進行外包。據稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產品（i-
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三星 外包芯片 光掩模 ArF EUV 半導體
- 據荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產業園區。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發了全球晶圓制造行業的廣泛關注。據Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或將從中受益。ASML的擴張如果能按計劃推進，將有助于滿足全球對極紫外光（EUV）光刻設備的迫切需求，從而加速先進制程的開發與應用。Brainport產業園區的擴張計劃大約在一年前首次公開。據荷蘭消
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