高增長的經濟體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現新興中產階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車零售價相對較低，因此給汽車組件帶來很大的成本壓力。此外，在發達經濟體如美國、歐洲國家和日本的汽車市場
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CMOS 接收器 芯片設計 汽車
CL102型CMOS-LED數碼顯示器電路圖CMOS-LED數碼顯示器的，亦叫十進制技術、譯碼驅動顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
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CL102 CMOS-LED 數碼顯示器
據IHS iSuppli公司的MEMS市場簡報，基于MEMS的多傳感器封裝，即所謂的“組合”傳感器，將在消費應用與汽車應用領域具有非常光明的前景，未來五年在這兩個領域的合計銷售額將增長到現在的50倍。
MEMS組合傳感器在單一的傳感器封裝中含有加速計、陀螺儀或電子羅盤的不同組合。這類傳感器的銷售額到2015年將接近12億美元，而2010年略低于2400萬美元，2010-2015年的復合年度增長率高達120%。預計今年增長率將達到三位數，而且這種趨勢將保持到2013年，凸顯
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IHS iSuppli MEMS 傳感器
來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發現，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。
TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。
「碳納米管的許多特性都優于銅，包括熱
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TSV芯片 CMOS
Crocus科技，領先的強化磁性半導體技術開發商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內地最大最先進的集成電路晶圓代工企業，今天宣布，正式簽署合作技術開發和晶圓制造協議。根據協議，兩家公司將共同開發針對汽車應用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術。中芯國際將制造和供應基于CMOS先進技術節點的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進磁性生產設備上做進一步加工。
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中芯國際 半導體 CMOS
面向全球最受歡迎的消費電子制造商提供CMOS成像解決方案的領先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統)成像解決方案。這一200萬像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿足以視頻為中心的消費電子市場中超薄全高清視頻應用嚴格的尺寸要求(z-高度不超過3.5mm)。
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Aptina CMOS SOC
MEMS麥克風改善音質尺寸小，性能優越來越多的移動設備，如手機、耳機、相機和MP3，采用了先進的降噪技術，以消除背景音，提高聲音質量。要使這種先進技術付諸實施，所采用的多個麥克風不僅需具有抗射頻和電磁干擾的能
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焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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CMOS 場效應管 集成電路 焊接
1.2 PMOS的變容管連接及其壓控特性分析 圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...
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CMOS PMOS
鑒于MEMS工藝源自光刻微電子工藝，所以人們很自然會考慮用IC設計工具來創建MEMS器件的掩膜。然而，IC設計與MEMS設計之間存在著根本的區別，從版圖特性、驗證或仿真類型，到最重要的構造問題。 盡管針對MEMS設計的
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MEMS 設計方法
半導體行業網站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機V1做了非常詳細而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發現了不少秘密，首當其沖的就是主CMOS上發現了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導體企業鎂光旗下的感光元件生產廠商，也推出過APS-C規格的16M像素CMOS。這也是首次明確發現尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
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尼康 V1 CMOS
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商及全球第一大消費電子和便攜式設備MEMS(微機電系統)傳感器供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出兩款采用2x2mm微型封裝，擁有超低功耗及高性能的三軸加速度計芯片。新產品較上一代產品尺寸縮減50%，因此尤為適用于手機、平板電腦及游戲機等對功耗和尺寸限制嚴格的消費電子產品。
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ST MEMS LIS2DH LIS2DM
致力于開發可微縮低功耗CMOS技術的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術細節。SuVolta的DDC技術是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術已向業界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方
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模板 相位 包裹 算法 基于 測量 表面 3-D 輪廓 MEMS/NEMS
摘要 分析了以動態閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節省輸入晶體管數目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標
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模擬 法器 CMOS 2V 動態 NMOS 基于
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