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5nm
5nm 文章 最新資訊
臺(tái)積電推出性能增強(qiáng)版的7nm和5nm制造工藝
- 近日外媒消息，臺(tái)積電已經(jīng)悄然推出了 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 極紫外（N5 / EUV）制造工藝的性能增強(qiáng)版本。臺(tái)積電推出性能增強(qiáng)的7nm和5nm制造工藝其N7P 和 N5P 技術(shù)，專為那些需要運(yùn)行更快、消耗更少電量的客戶而設(shè)計(jì)。盡管 N7P 與 N7 的設(shè)計(jì)規(guī)則相同，但新工藝優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在同等功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。在日本舉辦的 2019 VLSI 研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了哪些客戶已經(jīng)可以用上新工藝，但該公司似乎并沒(méi)有廣
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 7nm 5nm
臺(tái)積電擴(kuò)大開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)云端聯(lián)盟，5nm測(cè)試芯片 4 小時(shí)完成驗(yàn)證
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電近日宣布，擴(kuò)大開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（Open Innovation Platform，OIP）云端聯(lián)盟，其中明導(dǎo)國(guó)際（Mentor）加入包括創(chuàng)始成員亞馬遜云端服務(wù)（AWS）、益華國(guó)際計(jì)算機(jī)科技（Cadence）、微軟 Azure（Microsoft Azure）以及新思科技（Synopsys）等企業(yè)的行列，成為聯(lián)盟生力軍，拓展了臺(tái)積電開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)的規(guī)模，并可以運(yùn)用嶄新的云端就緒設(shè)計(jì)解決方案來(lái)協(xié)助客戶采用臺(tái)積電的制程技術(shù)釋放創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 5nm
三星5nm EUV研發(fā)完成：功耗降低20%
- 在芯片代工領(lǐng)域，臺(tái)積電和三星是實(shí)力最強(qiáng)勁的兩大巨頭。不過(guò)，最近幾年，臺(tái)積電的實(shí)力要更勝一籌，通過(guò)7nm工藝，臺(tái)積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網(wǎng)上帶來(lái)了一個(gè)新消息，5nm EUV成功開(kāi)發(fā)完成。這對(duì)三星而言，算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說(shuō)明的是，三星的7nm工藝去年10月開(kāi)始宣布并初步生產(chǎn)，今年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。最近三星曝光
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV 5nm
臺(tái)積電5nm制程蓄勢(shì)待發(fā) 三星恐望塵莫及
- 4月4日消息，臺(tái)積電宣布在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)之下推出5nm設(shè)計(jì)架構(gòu)的完整版本，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)支持下一代高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5nm系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)，目標(biāo)鎖定擁有廣闊發(fā)展前景的5G與人工智能（AI）市場(chǎng)。目前全球7nm以下先進(jìn)制程賽場(chǎng)只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾三個(gè)選手。其中臺(tái)積電搶先進(jìn)入7nm制程，且支持極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版（7nm+）制程已經(jīng)按原計(jì)劃于3月底量產(chǎn)，全程采用EUV技術(shù)的5nm制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電制程技術(shù)已經(jīng)與英特爾平起平坐，并把三星甩在身后，后者預(yù)計(jì)2020年才會(huì)進(jìn)入7nm E
- 關(guān)鍵字： TSMC 5nm 工藝制程
重磅！國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)通過(guò)驗(yàn)證，將用于臺(tái)積電5nm芯片制造！
- 近日，臺(tái)積電對(duì)外宣布，將在2019年第二季度進(jìn)行5nm制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。與此同時(shí)，中微半導(dǎo)體也向“上觀新聞”透露了一個(gè)重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。 值得一提的是，中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開(kāi)始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。 而中微半導(dǎo)體如此亮眼成績(jī)的背后，離不開(kāi)尹志堯和他團(tuán)隊(duì)的多年努力。 他放棄國(guó)外百萬(wàn)年薪工作，只為一顆
- 關(guān)鍵字： 5nm 刻蝕機(jī)
5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破
- 全球一號(hào)代工廠臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。 而接下來(lái)的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺(tái)積電將首次應(yīng)用EUV，不過(guò)僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn)，也借
- 關(guān)鍵字： 5nm EUV
5nm 介紹
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