3d 晶體管文章最新資訊

本田投資500萬(wàn)美元于3D傳感器技術(shù)

日本汽車(chē)制造商本田把3維傳感器技術(shù)用于提高汽車(chē)安全性。本田汽車(chē)宣布對(duì)Canesta公司的電子感知技術(shù)投資500萬(wàn)美元。本田在過(guò)去三年中一直對(duì)Canesta進(jìn)行投資，近日表示它將采用該技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)避撞系統(tǒng)這樣的汽車(chē)安全應(yīng)用。 Canesta的圖像傳感器可以被隱藏在車(chē)身、汽車(chē)裝飾品或汽車(chē)儀表盤(pán)中。“它提供一種成本比較低的芯片級(jí)3D攝像方案，可以一種安裝來(lái)提供多種應(yīng)用，”本田戰(zhàn)略風(fēng)險(xiǎn)投資的領(lǐng)導(dǎo)人ToshinoriArita在一次發(fā)言中說(shuō)。
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提供過(guò)電流和過(guò)電壓保護(hù)的斷路器

斷路器在汽車(chē)系統(tǒng)中很有用，既需要過(guò)電流檢測(cè)防止有故障的負(fù)載、也需要過(guò)電壓保護(hù)避免敏感電路不受高能負(fù)載突 ...
關(guān)鍵字：集電極晶體管負(fù)載

使用雙極晶體管進(jìn)行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設(shè)備(如手機(jī)、PDA等)的功能不斷增加，加上對(duì)較小體積與更長(zhǎng)電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類(lèi)設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點(diǎn)討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個(gè)鋰離子電池的典型充電周期。預(yù)充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類(lèi)及不同的生產(chǎn)商。而
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Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
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應(yīng)用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)

近日，應(yīng)用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運(yùn)用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲(chǔ)器件工藝擴(kuò)展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的Carina技術(shù)具有獨(dú)一無(wú)二的表現(xiàn)，它能達(dá)到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒(méi)有任何副產(chǎn)品殘留物。應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國(guó)際微波大會(huì)上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類(lèi)設(shè)備最高的排放效率和功率增益。這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
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安森美擴(kuò)展低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品

電源管理半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實(shí)現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長(zhǎng)了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應(yīng)用。
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恩智浦推出UHF波段高壓LDMOS晶體管BLF878

恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)上唯一能夠在整個(gè)UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場(chǎng)。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿(mǎn)足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時(shí)降低成本。如今的高性能電視發(fā)射機(jī)投資巨大，所以廣播商正
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3D智能導(dǎo)航，未來(lái)GPS的發(fā)展方向？

車(chē)載GPS的出現(xiàn)，給駕車(chē)者提供了極大地方便。目前，隨著中國(guó)開(kāi)始進(jìn)行以省、市為主體的ITS(智能道路交通系統(tǒng))建設(shè)，車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)也將發(fā)生一些新的變化，如車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)是采用原裝還是后裝產(chǎn)品、如何把車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)與車(chē)載音響進(jìn)行融合？車(chē)載導(dǎo)航信息以什么樣的方式顯示？從IIC一些公司的展示產(chǎn)品我們可以發(fā)現(xiàn)一些趨勢(shì)。 ST的導(dǎo)航系統(tǒng)可以收看數(shù)字電視節(jié)目車(chē)載導(dǎo)航和車(chē)載音響的融合從瑞薩展出的車(chē)載信息系統(tǒng)設(shè)備來(lái)看，因?yàn)槟壳榜{駛者傾向于語(yǔ)音指路的模式，所以，車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)和車(chē)載音響會(huì)出現(xiàn)融合。另外，融合到這
關(guān)鍵字： 3D GPS 汽車(chē)電子消費(fèi)電子汽車(chē)電子

恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車(chē)領(lǐng)域。　　華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項(xiàng)重要性能，也是我們獲得世界首個(gè)筆記本電腦T
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英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破

英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計(jì)方面取得了一個(gè)最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來(lái)構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門(mén)”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強(qiáng)®系列多核處理器中，將置入數(shù)以?xún)|計(jì)的這種微觀晶體管或開(kāi)關(guān)。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產(chǎn)品正在運(yùn)行，這是公司計(jì)劃中的15款45納米處理器產(chǎn)品的第一批。在臺(tái)式機(jī)、筆記本和服務(wù)器領(lǐng)域，晶體管技術(shù)的提升使得公司能夠繼續(xù)創(chuàng)造出處理器計(jì)算速度的全新紀(jì)錄
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瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無(wú)線LAN功耗

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無(wú)線LAN終端、數(shù)字無(wú)繩電話和RF(射頻)標(biāo)簽讀/寫(xiě)機(jī)等產(chǎn)品。作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對(duì)傳輸無(wú)線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進(jìn)行放大。　　RQG2003的功能總結(jié)如下：　　業(yè)界最高的性能水
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體Boomer立體聲D類(lèi)音頻子系統(tǒng)

這款無(wú)濾波器的高集成度 2.2W 放大器內(nèi)置靈活的 I2C 兼容控制功能美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國(guó)紐約證券交易所上市代號(hào)：NSM) 宣布該公司最新推出的 Boomer? 音頻子系統(tǒng)除了內(nèi)置 2.2W 的立體聲 D 類(lèi) (Class
關(guān)鍵字： 3D Boomer D 類(lèi)音頻子系統(tǒng)內(nèi)置立體聲美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體音效增強(qiáng)及耳機(jī)檢測(cè)等功能

瑞薩科技開(kāi)發(fā)用于45納米節(jié)點(diǎn)及以上工藝芯片晶體管技術(shù)

瑞薩科技開(kāi)發(fā)用于45納米節(jié)點(diǎn)及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術(shù) --可以經(jīng)濟(jì)地生產(chǎn)帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結(jié)構(gòu)的CMIS晶體管而不必對(duì)現(xiàn)有的制造工藝進(jìn)行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開(kāi)發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點(diǎn)及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）產(chǎn)品的高性能和低成本晶體管技術(shù)。新開(kāi)發(fā)的技術(shù)包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結(jié)構(gòu)的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶(hù)大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來(lái)了機(jī)會(huì)。商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開(kāi)發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管模擬技術(shù) 消費(fèi)電子意法半導(dǎo)體照明消費(fèi)電子