Mouser Electronics宣布供貨市場上最小的晶體管封裝,該產品來自ROHM Semiconductor公司,專門針對緊湊的薄型便攜式設備而優化。
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Mouser ROHM 晶體管
三維晶片(3DIC)商用量產設備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復雜且成本高昂,導致晶圓廠與封測業者遲遲難以導入量產。不過,近期半導體供應鏈業者已陸續發布新一代3DIC制程設備與材料解決方案,有助突破3DIC生產瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達到市場甜蜜點。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍強調,3DIC材料占整體制程成本三成以上,足見其對終端晶片價格的影響性。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來是3DIC
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晶圓 3D
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
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Diodes 晶體管 DFN0806-3
物理學家組織網報道,丹麥哥本哈根大學化學納米科學中心和中國中科院的科學家攜手,用僅僅一個分子單層制造出一款晶體管,同時,他們創造性地應用石墨烯的獨特性能,用該分子晶體管制造出了一塊石墨烯計算機芯片。這一發表在《先進材料》雜志上的最新研究將有助于科學家們設計出體形更小、運行速度更快且更環保的電子設備。
該研究的領導者、哥本哈根大學化學教授卡斯帕·諾亞德說:“石墨烯擁有許多讓其他材料望塵莫及的獨特屬性,這也是科學家們首次證明,可以將一個功能性的元件集成在一塊石墨烯芯片上。新
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石墨烯 晶體管
晶體管的持續微縮化對我們的日常生活有著超乎尋常的影響力。回想1997年,IBM所制造的巨型超級計算機“深藍”...
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晶體管 摩爾定律 英特爾
東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布使用CMOS兼容工藝開發高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應用的功耗。詳細信息將于6月12日在2013年超大規模集成電路技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布,此次研討會將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。
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東芝 晶體管
半導體技術走向系統化,集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發展趨勢。2.5D IC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,今年最重要的課題即在于如何提升其量產能力,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產。
SiP Global Summit 2013(系統級封測國際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺灣最大半導體專業展覽SEMICON Taiwan 2013(國際半導體展)同期登場,特別邀請臺積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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半導體 3D
聯華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯合開發28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術集成到聯華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(HPM)工藝。SuVolta與聯華電子正密切合作利用DDC晶體管技術的優勢來降低泄漏功耗,并提高SRAM的低電壓效能。
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聯華 28納米 DDC 晶體管
國際半導體設備暨材料協會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,半導體技術走向系統化,整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發展趨勢,2.5D IC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產。
SEMI臺灣暨東南亞區總裁曹世綸表示,2.5D及3D IC制程解決方案已經逐漸成熟,產業界目前面臨最大的挑戰是量產能力如何提升,業界預估明后
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3D IC
全球3D 打印領域的領先企業、快速原型與快速制造的引領者——Stratasys公司(納斯達克代碼:SSYS)于日前宣布為巴黎時裝周帶來12 雙由 3D打印機制作的時裝鞋,亮相著名荷蘭設計師艾里斯?范?荷本的“狂野之心”(Wilderness Embodied)系列展。
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Stratasys 3D 打印機
全球 3D 打印領域的領先企業、快速原型與快速制造的引領者—Stratasys公司(納斯達克代碼:SSYS)非常榮幸地宣布其董事會主席兼研發負責人Scott Crump于6月12日被制造工程師學會(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術及增材制造(RTAM)行業杰出成就獎(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
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Stratasys 3D
新的NMOS(N型金屬氧化物半導體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內更快的晶體管至關重要
應用材料公司在Applied Centura RP Epi系統設備上新開發了一套NMOS晶體管應用技術,繼續保持其在外延技術方面十年來的領先地位。該應用技術的開發符合行業在20納米節點時將外延沉積從PMOS(P型金屬氧化物半導體)向NMOS(N型金屬氧化物半導體)晶體管延伸的趨勢,推動芯片制造商打造出更快的終端,提供下一代移動計算能力。
NMOS外延可將晶體管速度提高半個器件節點,同時不增加關閉
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應用材料 晶體管
日前,Alchimer, SA 宣布與法國研究機構CEA-Leti 達成協作合約,以評估和實施Alchimer為300mm 大批量生產的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
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Alchimer 3D TSV
據物理學家組織網7月4日報道,美國麻省理工學院(MIT)電子研究實驗室(RLE)、哈佛大學以及奧地利維也納技術大學的科學家們在最新一期《科學》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個光子控制的全光開關,新的全光晶體管有望讓傳統計算機和量子計算機都受益。
新的全光開關的核心是一對高度反光的鏡子。當開關打開時,光信號能穿過這兩面鏡子,當開關關閉時,信號中約20%的光能穿過鏡子。如此一來,這對鏡子就構成了所謂的光學共振器。該研究的領導者、MIT物理學教授弗拉達·烏勒提解釋道,如果鏡子間的距離
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晶體管 芯片
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