PCGH今天曝光了一份Intel Xeon、Xeon Phi的規(guī)劃路線圖。雖是服務器和高性能計算領域的，但也能反映出桌面平臺的進展。
不過注意，本文中說的Xeon不包括單路型號，而是雙路型EP、多路型EX，而且Intel的新工藝、新架構一般都是先在桌面上使用，一年左右之后進入服務器。
路線圖顯示，Haswell架構的Xeon EP/EX將在明年發(fā)布，除了帶來桌面平臺已有的22nm工藝、AVX2指令集、PCI-E 3.0總線之外，還會開始支持DDR4，這也將是Intel第一次支持下代內存
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Intel 14nm
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術是肯定的。
Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產的芯片，而且還會引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake將支持DDR4內存，不過應當不是首個支持DDR4的平臺，明年的Has
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Intel 14nm
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術是肯定的。
Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產的芯片，而且還會引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake將支持DDR4內存，不過應當不是首個支持DDR4的平臺，明年
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Intel 14nm
英特爾在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日～20日在德國萊比錫舉行)上發(fā)布了“Xeon Phi協處理器”的新產品并披露了下一代產品的部分情況。Xeon Phi協處理器是配備基于“MIC(眾核)架構”的處理器芯片的PCI Express擴展卡，MIC架構具有多個支持x86指令集的處理器內核。
Xeon Phi協處理器的首款產品是2
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英特爾 14nm
在Synopsys 的協助下，臺灣聯電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實現這一目標又邁進了一步，當然流片完成之后還需要對過程工藝等等項目進行完善和改進，還有大量工作要做。
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近年來，在臺積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場
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聯電 14nm
聯電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合，和Galaxy實作平臺的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯電第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。
在雙方持續(xù)進展中的合作關系上，采用新思科技DesignWare矽智財解決方案來認證聯電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。
聯電表示，這次合作的第一個里程碑，可加速聯電14奈米
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聯電 14nm
隨著移動互聯網在全球的普及，移動智能終端正在快速蠶食傳統PC的市場空間。在終端芯片領域，移動芯片的市場占有率卻在不斷提升，逐漸成為芯片產業(yè)的“明星”和領跑者。值得一提的是，在移動互聯網發(fā)展的新浪潮中，我國的移動芯片產業(yè)正在崛起，逐漸在全球芯片市場中占據一席之地，這不僅促進了全球芯片市場的“變局”，更將為我國ICT產業(yè)的未來發(fā)展提供支撐和動力。
移動芯片是智能終端的硬件平臺，是其物理能力的基礎。在我國智能終端市場上爆發(fā)的激烈“核&rdqu
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移動芯片 14nm
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當然還是必須協同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(Tape Out)14nm FinFET制程技術的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關鍵，但目前仍有技術上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都
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ARM 14nm
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當然還是必須協同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(TapeOut)14nmFinFET制程技術的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關鍵，但目前仍有技術上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都是A
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ARM 14nm
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當然還是必須協同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(Tape Out)14nm FinFET制程技術的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關鍵，但目前仍有技術上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都
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ARM 制程 14nm
2010年，Intel發(fā)布了其第一代22nm三柵極技術，這無疑是半導體工藝的一個突破性進展。最近，Altera宣布將采用Intel的第二代14 nm三柵極技術開發(fā)下一代高性能FPGA，同時也將繼續(xù)與TSMC保持長期合作。這一消息也無疑成了最近業(yè)界的重磅話題之一。
為什么采用Intel的14nm三柵極技術？
Altera公司國際市場部總監(jiān)李儉先生將這個問題拆分為兩個層面，第一個層面是為什么要采用三柵極技術，第二個層面是為什么要采用Intel的技術。
三柵極技術能夠從三方面帶來技術突破：第一
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Altera Intel 14nm 三柵極
美國阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產委托給美國英特爾(參閱本站報道)。3月1日，阿爾特拉產品和企業(yè)營銷及技術服務副總裁Vince Hu在東京通過電話會議系統，向新聞媒體介紹了該制造委托協議。
Vince Hu說，阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因為英特爾在立體晶體管(FinFET)技術方面的量產業(yè)績獲得好評。英特爾在業(yè)界率先在22nm工藝上采用了FinFET(該公司稱為Tri-Gate)，阿爾特拉表示，采用該技術制造的微處理
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Altera 14nm FPGA
通用平臺技術論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。
和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣， Samsung 14nm同樣引入了FinFET晶體管技術，而且又類似GlobalFoundries、聯電， Samsung 也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
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Samsung 14nm 晶圓
2013年半導體產業(yè)聚焦在三巨頭——臺積電、英特爾與三星的產能與技術比拚，以及訂單的板塊位移態(tài)勢，三巨頭今年的資本支出規(guī)模都讓市場吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進制程產能的擴增，也都展現出欲在20奈米以下制程與18寸晶圓技術超越對手的企圖心。
臺積電2013年資本支出再度上升至90億美元規(guī)模，而英特爾也逆勢增加至130億美元，三星也并未如外界預期大砍資本支出規(guī)模，而是宣布2013年資本支出與2012年
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臺積電 14nm
明導公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設計、制造與后流片實現(post tapeout)平臺問世，這一平臺能夠為客戶提供完整的從設計到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor?流程可幫助客戶實現快速設計周期和晶圓生產的一次性成功。
明導專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設計規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗、提取、可制造性設計(DFM)和先進填充等功能的Calibre?平臺，以及Tessent?可測試性設
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Mentor IC 14nm
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