隨著數據中心特別是AIGC相關的數據密集型應用場景對于大容量高性能存儲的需求越來越高，存儲器產品的更新換代成為數據存儲市場競爭中的必然趨勢。近日，美光科技接連發布在SSD方面的多個量產信息，重點滿足數據中心和AI相關應用對高性能SSD產品的最新需求。 在數據中心應用方面，美光推出首款PCIe 5.0數據中心SSD—— 9550 SSD，專為高性能細分市場打造，在美光的產品組合中扮演著提供卓越數據中心SSD性能的角色，并吸引了眾多云和企業客戶。人工智能市場的興起，對SSD的性能提出了更高要求，同時提升數據中
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數據中心 AI 美光 SSD
行業人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創建第二個研發中心。據悉，中國臺灣經濟部門于2021年5月申請領航企業研發深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發中心，獲補助47億元新臺幣，將研發先進制程落腳在中國臺灣生產。2021年，美光在中國臺灣申請
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美光 HBM
美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術的?SSD?產品已開始出貨，成為業界首家實現這一里程碑的廠商之一。美光?G9 NAND?技術具備高達?3.6 GB/s?的數據傳輸速率，提供卓越的數據讀寫帶寬。該項?NAND?新技術為人工智能（AI）及其他數據密集型應用場景帶來出色的性能，適用于個人設備、邊緣服務器、企業和云數據中心。美光技術和產品執行副總裁?Scott DeBoer?表
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美光 NAND閃存
美光科技股份有限公司近日宣布，推出數據中心?SSD?產品美光?9550 NVMe? SSD，性能業界領先，同時具備卓越的?AI?工作負載性能及能效。美光?9550 SSD?集成了自有的控制器、NAND、DRAM?和固件，彰顯了美光深厚的專業知識和創新能力。該款集成解決方案為數據中心運營商帶來了業界領先的性能、能效和安全性。美光?9550 SSD?憑借?14.0 GB/s?的順序讀取速率和
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IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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長江存儲 NAND 美光 內存
美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對內存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現已上市，將于2024年下半年開始大量出貨。 美光指出，開始送樣的內存是美光MRDIMM系列的第一代產品，實現最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數據中心等的工作負載。美光副總裁暨運算產品事業群總經
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美光宣布旗下消費級品牌英睿達推出新款固態硬盤P310，這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，將SSD帶到了最小尺寸的M.2規格上。據悉，此次發布的P310系列，精心準備了1TB與2TB兩種大容量選項，以滿足不同用戶的存儲需求。其核心搭載了美光自主研發、業界領先的232層3D QLC NAND閃存技術，這一創新不僅大幅提升了存儲密度，更在性能上實現了質的飛躍。具體而言，P310的順序讀取速度高達7100 MB/s，順序寫入速度也達到了驚人的6000 MB/s，同時，在4K隨機讀寫測試中，分
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美光 M.2 2230 PCIe 4.0 SSD
美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內存超過?128GB?的應用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數據中心工作負載方面，表現優于當前的?TSV RDI
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近期在智慧手機、PC、數據中心服務器上，用于暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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HBM DRAM 美光
AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產封裝。HBM經歷多次迭代發展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日發布了2024 年可持續發展報告，詳細介紹了美光在可持續發展方面的進展，彰顯了其屢獲殊榮的可持續發展成果，并進一步強化了對可持續發展和前沿技術的承諾。美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技術進步，這將在未來幾年創造新的重大機遇。2024 年可持續發展報告彰顯了我們當前的承諾和未來的雄心，即通過技術惠及我們的社區和地球。通過不懈努力，我們已經取得了穩步進展，我期待公
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美光 可持續發展報告
什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品，為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數據速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達荷州博伊西的晶圓廠預計將于2027財年投入運營，而紐約州的克萊晶圓廠則預計將在2028財年或之后開始生產。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設大型晶圓廠項目。其中包含2座晶圓廠的首階段項目將耗資200億美元，定于2029年投運。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設兩座晶圓廠，目標2041年投運。同年，美光還宣布計劃在10年內投資150億美
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美光 晶圓廠 存儲芯片
據韓媒報道，韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯合開發下一代鍵合機，用于HBM4生產。根據報道，美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機，用于生產HBM3E，于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據透露，美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產品 HBM4 中采用。HBM4 16H產品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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ASMPT 美光 HBM4
IT之家 6 月 28 日消息，美光在業績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應，而紐約（州）的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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