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氮化鎵高速增長 文章 最新資訊

英飛凌發布《2026年GaN技術展望》:技術創新引領功率半導體領域氮化鎵高速增長

  • ●? ?至2030年,氮化鎵(GaN)市場規模預計將達到30億美元,年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵(GaN)電源解決方案的普及正推動功率電子行業迎來一場重大變革。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發布《2026年GaN技術展望》,深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景,為行業提供重要參考。英
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