- 三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導體市場成長最快的是亞洲地區，消化全球70%芯片產出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲器技術的明日之星，而現在位居主流地位的12寸晶圓廠，預計到2015年將不符合經濟效益，屆時將迎接18寸晶圓廠時代來臨。
三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國際半導體展時指出，在全球半導體市場中，亞洲地
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Samsung 晶圓 存儲器
- 對于整個電子產業來說，2009是個幸福缺失的年份，不管我們如何痛恨這一場金融風暴帶來的腥風血雨，至少我們已經撕去了屬于2009年最后一頁日歷，迎來了嶄新年輪的開始。既然最黑暗的時刻都已經挺過來了，未來總會比現在光明些吧。
從2008年四季度開始的這場金融風暴，在重創了全球經濟的同時，不可避免地將整個電子產業的發展水平拉回了2001年。經歷過2008年的全行業深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀中到來的2009堪稱整個產業驚心動魄的一年，多家分析機構不斷下調對半導體產業發展的預期，最可怕的數據預測整
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- 歲末年初，又到了總結與展望之時，綜合業界的信息得知：全球半導體市場在2009年陷入困境幸而回穩，而2010年將重新步入快速發展之路，這一觀點已成共識。
變數多多的2009年
2009年的世界半導體市場變化真是光怪陸離、變幻莫測，為筆者所首見。
回望一年來公布的數據，連連更迭，令人無所適從。例如，為業界推崇的WSTS(世界半導體貿易統計協會)2008年11月所作的秋季預測，認為2009年世界半導體市場將僅略降2.8%，可到2009年6月的春季預測，時隔半年便來了個大跳水，驟然劇降21.
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- 滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調節器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
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- 由于系統帶寬不斷的增加，因此針對更高的速度和性能，設計人員對存儲技術進行了優化。下一代雙數據速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優勢。這些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。
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- 據彭博(Bloomberg)報導，海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產業的主流產品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產能。
根據研究機構iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也將增加NAND Flash產能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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- 2010年存儲器產業熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NANDFlash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NANDFlash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NANDFlash三哥寶座，并防止三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Tosh
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- 存儲器大廠Micron以50：50比例與澳大利亞Origin Energy公司組成合資的光伏技術公司。
至此關于合資公司的細節未能透露。2009年5月Micron曾準備化500萬美元來促進LED Solar方面的嘗試。
該項目執行總經理Andrew Stock表示將利用Micron在存儲器方面的實力來推動光伏發展及市場化。
Origin Energy是澳大利亞領先的集成能源公司，工作范圍涉及天然氣,石油開釆與生產、發電及能源行業。該公司列于澳大利亞股票市場ASX的前20位，有近400
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- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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- DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業者認為，若大家都搶著把DDR2產能轉走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩，反而有利于DDR2價格走勢。
臺 DRAM廠表示，原本業者認為在農歷春節前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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- 2010年存儲器產業熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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- 由于存儲器市場需求上升，但是投資顯得嚴重不足，所以今年可能出現供不應求局面。
按ICInsight數據，在2007年存儲器投資達323億美元，而在2009年為68億美元，預計2010年為144億美元。
Bill McClean認為即便存儲器投資144億美元，也無法滿足2010年市場的需求。
他預言對于半導體及設備來說2010年是個重組年。
2010年半導體市場有望達到2707億美元，比09年上升15%，而09年的IC市場為2354億美元，比08年下降10%。ICInsight表
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- Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲器的10位gamma校準基準系統MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩壓器等多個分立元件，極大地降低了方案成本。Maxim的MTP技術實現了NV (非易失)存儲器與高性能放大器的集成，可將gamma和VCOM寄存器值存儲在芯片內。每個系統均支持多達100次的gamma和VCOM值寫操作，無需使用外部EEPROM。這些高度集成的系統具有12路(MAX9672)、14路(MAX
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- 2010年一開春臺積電、聯電法說成外界關注焦點，晶圓雙雄對于2010年景氣的論調與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標之一。半導體設備業者表示，盡管2009年景氣波動劇烈，但以臺積電為例，過去景氣不錯的數年，臺積電采買設備都不手軟，目前已知2010年臺積電資本支出將高達約45 億美元，聯電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。
臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺積電總共約采買新臺幣1,450億元，相當于45億美元添購設備，預料將使原本已經產能稍許吃緊的設備業者，在因應急單時
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- 摘 要： 新型超大容量Flash存儲器K9F2G08U0M的基本組織結構，給出了存儲器與C8051F020單片機外部存儲器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲器的主要操作流程和部分C語言代碼。關鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲器接口 管道
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通徑儀 應用 管道 及其 存儲器 K9F2G08U0M 大容量
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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