- 在目前的LED照明領域，大部分廠家都使用可控硅調光的方式來實現調光。雖然可控硅調光技術是主流，但這并不代表著其是完美的，目前可控硅調光仍舊存在
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可控硅 照明 調光
- 在雙向可控硅電路中，電路打火是一種經常出現的錯誤現象。很多新手再遭遇電路打火之后都需要耗費很多的精力和時間來進行錯誤排查。本文將通過舉例的方
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單片機 可控硅 LDO
- 可控硅移相電路設計攻略 —電路圖天天讀（156）-可控硅移相電路由同步檢測、鋸齒波形成電路、移相電壓和鋸齒波電壓綜合比較放大電路、功率放大電路和失交保護電路等部分構成。
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同步檢測 可控硅 相位控制
- 干擾太大讓工控系統的效果大打折扣，怎么挽救？-設計的工控系統即將成功，然而一通電卻發現系統干擾太大，導致效果比理想相差很多，甚至糟糕。抗干擾措施的基本原則是：抑制干擾源，切斷干擾傳播路徑，提高敏感器件的抗干擾性能。 抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt，di/dt。這是抗干擾設計中最優先考慮和最重要的原則，常常會起到事半功倍的效果。
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工控系統 二極管 可控硅
- PWM與可控硅調光孰好孰壞？比比就知道-LED照明領域中關于調光的技術種類多樣，其中較為常用的兩種調光方式分別是可控硅調光與PWM調光，那么這兩種調光方式的區別在哪里？各自的優點與缺點又是什么的？本文就將針對這個問題幫助大家進行全面的分析，從而掌握這兩種調光方式的區別。
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pwm 可控硅 led照明
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業，今日宣布推出兩個系列的高溫Alternistor三端雙向可控硅，成為該公司晶閘管產品組合中的最新產品。 16A QJxx16xHx系列和25A QJxx25xHx系列產品的最高結溫為150°C，專為交流開關而設計，可幫助電路設計師應對散熱有限或無散熱的交流電源控制應用發生過熱的難題。 憑借高峰值、單周期交流電流脈沖額定值，其可耐受加熱器和電機控制應用中更高的突入電流。 QJxx16Hx
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Littelfuse 可控硅
- 家用電器電磁兼容性設計-本文論述了家用電器電磁騷擾對電磁環境的影響和實施電磁兼容性的重要性，接著論述了家用電器電磁兼容性設計的內容和方法，并舉例說明如何抑制家用電器產生的電磁騷擾。
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家用電器 電磁兼容 可控硅
- 高安全系數的漏電保護器電路設計-隨著漏電斷路器使用推廣及人民生活水平提高，家用電器等設備增加，而家用電器普遍存在感性負載和容性負載，這些負載在使用中易產生感應電動勢、浪涌電壓以及沖擊電流，從而要求漏電斷路器對抗浪涌電壓、沖擊電流等干擾的能力越來越強，使漏電斷路器在各種情況下能可靠使用，確保漏電斷路器不出現誤跳和失效現象。
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漏電保護器 可控硅 芯片
- 克服正負電壓設計難題 觸發雙向可控硅妙用多-在交流電源里，電壓有時為正有時為負。對于不經常使用雙向可控硅的設計人員來說，「負電壓」可能聽起來很奇怪，因為世界上不可能存在采用負電壓工作的集成電路。然而，正如本文所述，從正輸出驅動雙向可控硅僅需簡單的解決方案即可，但在某些時候，采用負輸出驅動雙向可控硅更為合適。
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交流電源 可控硅
- KJ006主要適用于交流供電的雙向可控硅或反并聯可控硅線路的交流相位控制。能由交流電網直接供電并無需外加同步信號、輸出變壓器和直流工作電源，并且能直接與與可控硅控制極直接耦合觸發。具有鋸齒波線性好、移相范圍...
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可控硅 移相觸發器 KJ006
- 可控硅過零觸發器KJ009組成的應用電路圖KJ009的基本性能與KJ004相同，可以互換使用。由于器件內部采用了反向阻斷四級硅晶閘管作脈沖記憶，提高了抗干擾能力和觸發脈沖的前沿陡度，脈沖的寬度有較大的調節范圍。該電路適用...
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KJ009 可控硅 過零觸發器
- 可控硅驅動電路MOC3061在熱線開關中的應用電路如圖2所示,在可控硅驅動中的實際電路如圖3所示。圖中R1為限流電阻,使輸入的LED電流分別為15mA(MOC3061)、10mA(MOC3062)、5mA(MOC3063)即可。R1可按下式計...
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可控硅 驅動電路
- 摘要
電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負電壓。對于不經常跟雙向可控硅開關管打交道的人來說，“負電源”聽起來怪怪的，畢竟集成電路從來不使用負電壓。
在有些情況下，雙向可控硅驅動電路優先選用負電壓。本文介紹幾個簡單的雙向可控硅正電源驅動解決方案。
正電源和負電源
如果功率半導體控制電路需要使用電源，且驅動參考端子連至市電(相線或零線端子)，則需要使用非隔離電源。
雙向可控硅、ACST、ACS或SCR(可控硅整流管)等交流開關的觸發電路就屬于這種情況
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正負電源 可控硅
- 從上個世紀70年代開始，雙向可控硅(又稱三端雙向晶閘管)一直用于控制交流負載，幾乎在所有電器上都能看到雙向可控硅。當終端設備上的電壓上升速率過快時，雙向可控硅將會自動觸發，從那時起，設計人員就必須面對雙向可控硅的這個特性。當設計對電壓快速瞬變有要求的電器時，必須考慮這個問題。
半導體易受到dV/dt變化速率的影響
功率半導體器件由多個半導體層組成。例如，雙向可控硅是四層結構交流開關元件，每層是半個祼片，每層通過交替摻雜方法控制空穴濃度(P區)或自由電子濃度(N區)，形成兩個單向可控硅。因此
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可控硅
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