半導(dǎo)體文章最新資訊

ARM風(fēng)雨20年半導(dǎo)體帝國緣何屹立不倒？

ARM已成立20多年，目前全球95%的智能手機(jī)實(shí)際上都在使用ARM架構(gòu)處理器，不論處理器來自高通、三星、蘋果還是聯(lián)發(fā)科。ARM共享風(fēng)險(xiǎn)的商業(yè)模式、樂觀積極的態(tài)度，其與眾不同的營銷理念使我們認(rèn)識(shí)到開放的合作形式與巨大利潤其實(shí)并不沖突。
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石家莊半導(dǎo)體照明企業(yè)牽手韓國公司

　　近日從市(石家莊)科技局了解到，我市半導(dǎo)體照明骨干企業(yè)河北立德電子有限公司日前與韓國東星制藥株式會(huì)社在市信息產(chǎn)業(yè)園簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在開發(fā)LED產(chǎn)品、代加工產(chǎn)品、商務(wù)合作及科研等方面合作，由雙方骨干組建產(chǎn)品研發(fā)團(tuán)隊(duì)共同推進(jìn)LED在醫(yī)療保健及公共照明領(lǐng)域的應(yīng)用。　　河北立德電子有限公司是中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所及河北省建設(shè)集團(tuán)公司共同組建的高新技術(shù)企業(yè)，是國內(nèi)最早的半導(dǎo)體照明企業(yè)之一。在中國半導(dǎo)體照明推廣應(yīng)用的重要節(jié)點(diǎn)上都有立德的身影，成功完成了2008年奧運(yùn)會(huì)水立方、玲瓏塔的半導(dǎo)
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高效，創(chuàng)新，R&S全面的電子和半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)

　　IIC-China電子工程盛會(huì)將于2014年9月2-5日在深圳會(huì)展中心舉辦。IIC-China在 2014 年踏入第 19 個(gè)年頭，展期延長至四天，并與全球最具規(guī)模的光電展- — 第 16 屆中國國際光電博覽會(huì)同期同場(chǎng)舉行，展示涉及消費(fèi)電子、電腦及外圍設(shè)備、通信、工業(yè)控制及安全裝置、汽車電子、醫(yī)療、測(cè)試與測(cè)量、航空航海、軍用設(shè)備、元器件、EDA/IP/IC設(shè)計(jì)、傳感/MEMS、射頻/微波、控制/MCU、接口/總線、電源/新能源、光電及顯示、制造/封裝、嵌入式設(shè)計(jì)、EMI等。　　羅德與施
關(guān)鍵字：羅德與施瓦茨 MEMS 半導(dǎo)體

世界DRAM市場(chǎng)企穩(wěn)

　　原先DRAM在半導(dǎo)體產(chǎn)品中最是動(dòng)蕩不定，令人難以捉摸。可通過近年的整合，世界DRAM市場(chǎng)企穩(wěn)：所存DRAM廠商已為數(shù)不多，如今三星、SK Hynix和Micron已成三巨頭鼎立之勢(shì)，且對(duì)DRAM都已不再有幾十億美元的大規(guī)模建設(shè)投資;產(chǎn)品應(yīng)用從PC獨(dú)大擴(kuò)展到了智能手機(jī)、平板電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、車用電子等方方面面，增加了需求，(特別是移動(dòng)DRAM)提高了價(jià)格;DRAM平均單價(jià)呈上升態(tài)勢(shì)。據(jù)市調(diào)公司IC Insights最近報(bào)告，2013年的DRAM平均單價(jià)幾乎月月上揚(yáng)，2014年2月的售價(jià)為3.19美元，創(chuàng)2
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先進(jìn)半導(dǎo)體銷售大增四成

　　每年第二、三季均為半導(dǎo)體行業(yè)旺季，先進(jìn)半導(dǎo)體(03355)的情況亦不例外，總裁兼執(zhí)行董事王慶宇表示，第二季集團(tuán)銷售大升近四成，而第三季訂單亦表現(xiàn)強(qiáng)勁，但未有透露詳情。他又說，目前內(nèi)地市場(chǎng)佔(zhàn)集團(tuán)收入僅20%，深信未來發(fā)展?jié)摿薮螅瑢⒅铝訌?qiáng)技術(shù)及設(shè)計(jì)服務(wù)能力，加大對(duì)服務(wù)平臺(tái)的投資，吸引更多內(nèi)地客戶使用集團(tuán)產(chǎn)品。　　王慶宇表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)在今年上半年展現(xiàn)出正增長，并有望在未來幾個(gè)月內(nèi)保持成長的勢(shì)頭，主要得益于全球宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境的改善。鑒于集團(tuán)的業(yè)務(wù)極易受經(jīng)濟(jì)狀況、國際市場(chǎng)和半導(dǎo)體行業(yè)高周期性變化
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全球半導(dǎo)體廠勁飆資本支出

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價(jià)格走揚(yáng)。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進(jìn)制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場(chǎng)，1
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SDRAM

半導(dǎo)體一到五月產(chǎn)值達(dá)6000億元

　　行動(dòng)裝置熱銷，激勵(lì)今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)值噴發(fā)達(dá)6,003億元，創(chuàng)歷年同期新高。展望未來，經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統(tǒng)旺季，應(yīng)能延續(xù)暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時(shí)間表。　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處昨(5)日公布今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，集成電路與半導(dǎo)體封測(cè)為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大主軸，合計(jì)兩者產(chǎn)值占整體逾九成，兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng)歷史同期新高，推升半導(dǎo)體產(chǎn)值續(xù)創(chuàng)新高。　　楊貴顯說，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值增速已達(dá)二位數(shù)成長，今年1至5月成長動(dòng)能延續(xù)，上升至14.2%，凸顯半導(dǎo)體榮景
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半導(dǎo)體廠商資本支出戰(zhàn)爭(zhēng)愈演愈烈

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價(jià)格走揚(yáng)。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進(jìn)制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場(chǎng)
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臺(tái)灣半導(dǎo)體前五月產(chǎn)值新高

　　行動(dòng)裝置熱銷，激勵(lì)今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)值噴發(fā)達(dá)6,003億元，創(chuàng)歷年同期新高。展望未來，經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統(tǒng)旺季，應(yīng)能延續(xù)暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時(shí)間表。　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處昨(5)日公布今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，集成電路與半導(dǎo)體封測(cè)為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大主軸，合計(jì)兩者產(chǎn)值占整體逾九成，兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng)歷史同期新高，推升半導(dǎo)體產(chǎn)值續(xù)創(chuàng)新高。　　楊貴顯說，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值增速已達(dá)二位數(shù)成長，今年1至5月成長動(dòng)能延續(xù)，上升至14.2%，凸顯半導(dǎo)體榮景
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國市場(chǎng)的諸多因素將推進(jìn)IGBT應(yīng)用的發(fā)展，在電力領(lǐng)域、消費(fèi)電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域，市場(chǎng)前景廣闊。
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半導(dǎo)體與DRAM產(chǎn)值同步創(chuàng)史上新高

　　以智慧型手機(jī)為首的行動(dòng)裝置全球熱賣，帶動(dòng)今年前5月半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)下史上新高，達(dá)6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價(jià)量齊揚(yáng)，以產(chǎn)值615億元也創(chuàng)下歷史新高，一口氣較去年同期成長56.9%。　　半導(dǎo)體是臺(tái)灣重要的外銷產(chǎn)業(yè)之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對(duì)馬來西亞及菲律賓的出口成長最快速。　　經(jīng)濟(jì)部今天公布上述臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。更進(jìn)一步看，其中以積體電路業(yè)產(chǎn)值3916億元占65%為最大宗，半導(dǎo)體封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值1647億元占27%居次，2者合占逾9
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半導(dǎo)體新潮流全球爭(zhēng)研發(fā)碳化硅芯片

　　日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)指出，鑒于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起碳化硅晶片潮流，日本電子業(yè)亦積極發(fā)展碳化硅晶片科技，并已運(yùn)用于多項(xiàng)領(lǐng)域。預(yù)估日本國內(nèi)電力半導(dǎo)體市場(chǎng)年產(chǎn)值可達(dá)約3000億日?qǐng)A(28.8億美元)至4000億日?qǐng)A間，碳化硅晶片市場(chǎng)料將上看100億日?qǐng)A。除日本外，美國、歐洲國家也將碳化硅晶片視為重要趨勢(shì)，并推行相關(guān)國家計(jì)劃。另外南韓、臺(tái)灣晶圓大廠亦積極擴(kuò)展至相關(guān)領(lǐng)域。
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SK海力士擴(kuò)大HBM供應(yīng)量搶占次世代半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績(jī)告捷，在次世代存儲(chǔ)器技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中也占據(jù)優(yōu)勢(shì)，未來可望帶動(dòng)版圖變化。　　SK海力士的次世代存儲(chǔ)器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進(jìn)行性能測(cè)試，未來將有機(jī)會(huì)超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中也將居優(yōu)勢(shì)。　　據(jù)韓國每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士的次世代超高速存儲(chǔ)器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進(jìn)行測(cè)試。　　SK
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全球半導(dǎo)體廠勁飆資本支出芯片價(jià)格上揚(yáng)

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價(jià)格走揚(yáng)。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進(jìn)制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場(chǎng)
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悼念：半導(dǎo)體科學(xué)奠基人之一中科院院士王守武先生逝世

　　近日綜合媒體報(bào)道：我國著名半導(dǎo)體器件物理學(xué)家、中國半導(dǎo)體科學(xué)奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫(yī)治無效，7月30日在美國逝世，享年95歲。　　據(jù)了解，王守武先生曾組織領(lǐng)導(dǎo)并親自參加了我國第一臺(tái)單晶爐的設(shè)計(jì)、第一根鍺單晶的拉制、第一只鍺晶體管的研制和第一根硅單晶的拉制。1980年當(dāng)選為中科院院士。
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]