SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續發展、電動汽車和數據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態系統、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
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Microchip IGBT 7 功率器件
大半導體產業網消息，日前，中芯國際聯席CEO趙海軍在業績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產能，充分支持汽車工業和新能源市場的發展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產能基礎上，調轉一部分來做功率器件，不會因為增加功率器件生產而新增產能規模或投資。趙海軍表示，會把原來已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產品中，這也是之后與客戶合作的方向。
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中芯國際 邏輯電路 功率器件 新能源
8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN
功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業的發展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業的主戰場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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功率器件 GaN
IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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英飛凌 碳化硅 功率器件
由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現 EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態。開、關狀態間
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汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發總監Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
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SiC 功率器件 溝槽結構測量
電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
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SiC 電動汽車 功率器件
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power
Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiC
Power Device市場規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
電動汽車、可再生能源和云計算等應用正在推動提高效率和功率密度的需求。
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功率器件
經過了 2023 年的低迷，全球半導體業將希望寄托在 2024 年。從 2023 年第四季度開始，無論是智能手機，還是 PC 市場，都出現了回暖信號，供應鏈上相關廠商的訂單開始多起來，而且，各大市場調研機構也都預測 2024 年將是新一個半導體周期的開始，整個電子半導體產業將進入上行周期。對于正處在各種挑戰與困難之中的中國電子半導體產業來說，2024 年有望迎來更上一層樓的契機。一輪一輪的貿易限制政策，芯片企業投資（特別是 IC 設計企業）虛熱冷卻，本土新建晶圓廠陸續完成并開始量產，進口和本土芯片博弈后的
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模擬芯片 功率器件 傳感器
工業電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業領域為設備提供穩定的電力供應，在工業自動化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業電源應用環境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
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工業電源 功率器件 碳化硅
過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
據“徐州高新發布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區漢軒車規級功率器件制造項目開工建設。據悉，漢軒車規級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產需求，是一座專注于車規級功率器件的晶圓代工廠。項目規劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規劃月產能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區半導體產業鏈布局，有力推動車規級功率器件國產化進程。
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功率器件 汽車電子 晶圓制造
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