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三星Galaxy S20系列手機(jī)全陣容真機(jī)照曝光：后攝配置不同

繼早前三星手機(jī)官方放出最新的Galaxy S20系列手機(jī)官方預(yù)熱視頻后，有關(guān)三星Galaxy S20全系的真機(jī)實(shí)拍照片也在網(wǎng)上流傳開(kāi)來(lái)。從網(wǎng)傳真機(jī)照片來(lái)看，三星Galaxy S20系列手機(jī)攝像頭模塊的凸起程度各不相同，這似乎也暗示了三星Galaxy S20系列不同手機(jī)的攝像頭配置是有差異的。其中三星Galaxy S20 Ultra上的相機(jī)凸起非常明顯。根據(jù)現(xiàn)有爆料，預(yù)計(jì)三星Galaxy S20系列包括三款手機(jī)：Galaxy S20，S20+和S20 Ultra，分別采用的是6.2英寸、6.7英寸、6.9英
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價(jià)值200億美元臺(tái)積電4月份揭秘3nm工藝：與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開(kāi)始

在上周的說(shuō)法會(huì)上,臺(tái)積電宣布2020年的資本開(kāi)支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說(shuō)法會(huì)上臺(tái)積電沒(méi)有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門(mén)的發(fā)布會(huì),會(huì)公開(kāi)3nm工藝的詳情。臺(tái)積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺(tái)積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來(lái)說(shuō),三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來(lái)DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%

以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過(guò)10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來(lái),內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過(guò)了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來(lái)了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來(lái)看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來(lái)漲了10%,而4Gb DDR4顆粒現(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問(wèn)題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場(chǎng)
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去年全球半導(dǎo)體銷售額三星退居第二英特爾重返榜首

據(jù)日媒報(bào)道，美國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner周二發(fā)布了2019年全球半導(dǎo)體廠商銷售額排行榜，在2017至2018年連續(xù)排在榜首的韓國(guó)三星電子由于主力產(chǎn)品存儲(chǔ)芯片的行情惡化而退居第2。
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體英特爾

2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

　　張明花（集邦咨詢顧問(wèn)（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少。　　關(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì)，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士美光

南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開(kāi)發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門(mén)檻，其他公司突圍起來(lái)很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來(lái)自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來(lái)將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購(gòu)華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過(guò)份額只有2%左右，而且技術(shù)來(lái)源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來(lái)自美光
關(guān)鍵字：三星美光內(nèi)存

三星發(fā)布T7 Touch移動(dòng)SSD：支持指紋識(shí)別、讀寫(xiě)1000+MB/s

一般來(lái)說(shuō)，提升SSD通常只有兩件事：提高速度、增加存儲(chǔ)容量。顯然，略顯枯燥。
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三星Galaxy Tab S6 5G平板規(guī)格曝光，和4G版基本一致

據(jù)Emperor消息，目前三星Galaxy Tab S6平板電腦的5G版本配置曝光，可以看到和4G版本基本一致。
關(guān)鍵字：三星 5G平板 Tab S6

三星表示已準(zhǔn)備好量產(chǎn)MicroLED屏幕：OLED取代者來(lái)了

在本屆CES大展上，三星表示已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)采用MicroLED面板的智能電視，并有望將2020打造成為MicroLED元年。
關(guān)鍵字：安卓三星智能手機(jī)

三星：內(nèi)存芯片市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)恢復(fù)跡象售價(jià)上漲不可能避免

對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出，公司的利潤(rùn)可能會(huì)跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致，不過(guò)他們看起來(lái)并不擔(dān)心。星電子副董事長(zhǎng)Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示，內(nèi)存芯片市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。這位三星電子副董事長(zhǎng)在拉斯維加斯舉行的CES展會(huì)上對(duì)媒體表示：“有跡象表明市場(chǎng)正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測(cè)市場(chǎng)復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測(cè)哪些因素將會(huì)起作用。”據(jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
關(guān)鍵字：三星固態(tài)硬盤(pán) SSD

三星將展示“虛擬人”項(xiàng)目成果能自主生成表情動(dòng)作

三星有望在周一的國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）上宣布其未來(lái)的“虛擬人”項(xiàng)目。
關(guān)鍵字：三星 “虛擬人” 表情動(dòng)作

三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問(wèn)世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來(lái)越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺(tái)積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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存儲(chǔ)芯片2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇

半導(dǎo)體行業(yè)有明顯的周期性，2019年半導(dǎo)體市場(chǎng)處于低位，加上貿(mào)易戰(zhàn)的影響，存儲(chǔ)芯片降價(jià)也讓三星失去了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一的位置。不過(guò)，臺(tái)灣旺宏電子董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)將強(qiáng)勁復(fù)蘇。他還指出，即便中國(guó)投入大量資本發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，也需要至少20年來(lái)培養(yǎng)人才和積累技術(shù)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 三星半導(dǎo)體

李在镕：三星計(jì)劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

據(jù)悉，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃。
關(guān)鍵字：三星 3納米李在镕

三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對(duì)外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問(wèn)題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫(kù)存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來(lái)連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存閃存

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三星介紹

　韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]