coolsic mosfet 650v g2 文章
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為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全
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器件 分析 功率 MOSFET 保護 完全
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等
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IR MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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IR 柵級驅動 MOSFET
Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes MOSFET DMC4040SSD
Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes DMC4040SSD MOSFET
現代創新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業家的職能就是實現“創新”，引進生產要素或生產條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創新催生利潤，因此“創新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業都在打出各式各樣的創新口號。
不僅業內企業在摸索和實踐著創新，作為“深圳(國際)集成電路技術創新與應用展覽會”的組織機構——深圳市半導體行業協會也在積極行動。他們在深入調研了
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IC設計 MOSFET 音頻解碼器
電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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飛兆 MOSFET FDMS36xxS
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR PQFN MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR HEXFET MOSFET
據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。
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MOSFET DC-DC轉換器
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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MOSFET 同步降壓 電阻比
據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。
去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經濟，中國政府推出了一系
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MOSFET 無線通信
DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。
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Fairchild MOSFET
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