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MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!......
對于大功率工業系統(如電機驅動器和光伏逆變器)以及汽車系統(包括電動汽車 (EV) 充電器、牽引逆變器、車載充電器和DC/DC轉換器)而言,故障檢測機制必不可少。故障檢測通過電流、電壓和溫度測量來診斷系統內的任何交流電源......
該文描述了引起功率MOSFET發生寄生導通的機制,并進一步指出為了避免寄生導通,在選取MOSFET時應遵循什么準則。......
在開關電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導致發熱呢?本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-S......
本文列舉出目前電子雷管控制模塊中采用的儲能電容基本類型,包括固態鋁電解電容和鉭電容等,并對應用所關注的儲能容值、漏電流、耐壓、溫度特性,等效串聯電阻(ESR)以及綜合安全性等方面進行比較和分析。經對比結果和綜合性能、成本......
問題:如何選擇合適的射頻放大器,不同射頻放大器之間有何區別?答案:為具體應用選擇合適的射頻放大器時,應考慮增益、噪聲、帶寬和效率等特性。本文將評述最常用的射頻放大器,并說明增益、噪聲、帶寬、效率和各種功能特性如何影響不同......
本文中設計一套針對中頻,簡易的模塊化幅頻特性分析儀實驗裝置。根據正交乘積法測量頻率特性曲線的原理,采用Tiva C LaunchPad單片機評估板做主控制器,控制DDS芯片AD9854產生正交掃頻信號,采用模擬乘法器AD......
本文提出利用同一臺指針式萬用電表的兩個相鄰電壓擋,準確測算負載端電壓和電源的電動勢及其內阻的方法;介紹用兩個相鄰電流擋準確測算負載電流和電源電動勢及其內阻的方法,統稱為雙測法。該方法排除了由于電源內阻的壓降和電壓表的分流......
新興的新太空領域更令人興奮的一件事是發射大量近地軌道(LEO)衛星,這些衛星體積較小且經濟可行,同時還具有抗輻射性和可靠性,增強了世界范圍內的通信和連接。在以前的衛星領域,大多數任務都在距地球高達22,236英里的地球同......
IGBT作為功率設備的核心器件,在電力電子工業領域應用廣泛。為了進一步了解電壓應力對IGBT模塊的影響,本文搭建了實驗樣機(選用3代IGBT采用T型三電平拓撲,額定輸出線電壓315 V,電流230 A,設計輸入電壓范圍5......
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