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在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數都是......
在 21 世紀家居中，已經有無數示例充分證明，電機這種簡單的日常設備通過現代設計成為了越來越多家用電器不可或缺的組成部分。電機廣泛應用于冰箱、電腦、微波爐、風扇、洗衣機和吸塵器等家用電器之中。同時，車庫開門器、商店真空吸......
摘要：在各種輸入設備中，電磁手寫有著自身的不可替代的優勢，專業繪畫，各種簽名等應用場景中更是獨 占市場，由于成本較低，在教育，智能輸入等領域的普及，這些年來更得到了快速的發展，隨著電磁手寫的發 展，要求也隨之提升，針......
摘要：隨著人工智能與工業自動化的發展，機器人在各個領域的運用愈發廣泛，自動化機器人逐漸代替人力 已經成為社會的發展趨勢。電腦鼠作為移動機器人的典型代表，涉及到運動控制、傳感器、路徑規劃、機械設 計等多個技術領域。本設......
分析了功率電感飽和特性產生的原因，并且提出一個假設模型解釋飽和特性與電感內部氣隙寬度之間的關系并且由此說明軟飽和特性和硬飽和特性的產生即由此關系決定。從電感的飽和特性出發通過建立內部設計的關鍵參數并由此得出最優化的設計選......
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連......
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇......
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。在第六部分中，我們將注意力轉向驅動SiC MOSFET所需的柵極驅動電路。由于......
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Elec......
在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術，本文會繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術。高壓柵極驅動IC的技術經過長期的發展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，......
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張鵬程（深圳市繪王動漫科技有限公司，深圳518108） 2022-06-16
祝朝坤，韓彥凈，谷會斌（鄭州工商學院，鄭州451400） 2022-06-16
