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過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]......
隨著行動裝置的使用持續(xù)增加，產(chǎn)生了對快速充電的需求；也因此對高效率和低成本之電源解決方案的需求不斷增長 為迎合這一需求，安富利與恩智浦NXP合作推出了100W PD電源解決方案。這個解決方案的最大優(yōu)點是高效率，低待......
本文探討物聯(lián)網(wǎng)(IoT)電池技術(shù)。將描述設(shè)計人員面臨的一些電源問題，以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效，可以幫助克服物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居......
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時）變化到低于地的負壓（S1關(guān)閉時）......
摘? 要：本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝......
隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌U......
在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是......
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連......
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇......
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。在第六部分中，我們將注意力轉(zhuǎn)向驅(qū)動SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動電路。由于......
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楊帥康1,2，汪洋1, 2，蘇雪冰1,2，張玉葉1,2，楊紅嬌1,2（1.湘潭大學物理與光電工程學院，湘潭411105；2.湖南省微光電與系統(tǒng)集成實驗室，湘潭411100） 2022-06-17
