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目前，同業競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產業標準的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優勢。......
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關......
高性能通信、服務器和計算系統中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴格的效率和性能規格，且通常具備......
在選型某一款核心板后，硬件工程師將會針對自己的產品應用設計底板，除了外設的功能電路外，底板電源設計也是一款產品好壞的關鍵。結合ZLG致遠電子的核心板產品，本文將對底板的電源設計提供一些方法及參考。確定各供電電源的電壓和電......
對于許多系統，電源電壓必須按一定的順序施加，以防止電路損壞。過去，這項任務是通過分立電路實現的，但現代熱插拔控制器IC提供了一種替代方案，可以簡化設計并提高電源排序器的性能。熱插拔控制器IC實現所需的電源電壓順序。對于許......
DC/DC 轉換器模塊之間的均流使多個模塊可以并聯。近年來，分立式電流檢測電路設計的嚴格容差使分立式電流檢測電路設計成為一項艱巨的挑戰。本應用筆記介紹了一種采用MAX4372的低成本、節省空間、高精度電流檢測和......
射頻前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier）、開關（Switch）、低噪聲放大器LNA（Low Noise ......
隨著電動汽車 (EV) 日益流行，如何在反映真實續航里程的同時讓汽車更加經濟實惠，成為汽車制造商面臨的挑戰之一。首先，這意味著需要降低電池包成本并提高其能量密度。電芯中存儲和消耗的每瓦時能量都對延長續航里程至關重要。電池......
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出支持高達45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側*1LDO穩壓器*2（以下簡稱“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05......
新一代即插即用的數字D類音頻放大器的性能遠遠優于傳統的模擬D類放大器。更重要的是，數字D類放大器還具有低功耗、低復雜性、低噪聲和低成本的優勢。電子產品生產商通常使用不帶濾波器的高效率模擬D類放大器來滿足手機、平板電腦、家......
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