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IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若......
我們一般按照在輸入電壓下，輸出的情況下，要求電解電容上的紋波電壓低于多少個(gè)百分點(diǎn)來計(jì)算。當(dāng)然，如果有保持時(shí)間的要求，那么需要按照保持時(shí)間的要求重新計(jì)算，二者之中，取大的值。輸入側(cè)的電解電容計(jì)算我們一般按照在輸入電壓下，輸......
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-......
首先給出結(jié)論：一般我們把隔離驅(qū)動(dòng)芯片的垂直面下方的PCB設(shè)為禁止布線層，既不走任何的信號(hào)也不放置各類元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線，最后介紹例外的應(yīng)用情況。圖1為什么芯片下面不建議布線？因?yàn)闀?huì)影響正常的信號(hào)......
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)必須面對(duì)這樣一個(gè)現(xiàn)實(shí)——所有BMS問題在某種程度上都是相互關(guān)聯(lián)而非孤立的（圖1）。因此，當(dāng)BMS隨著電池的狀況或狀態(tài)發(fā)生變化而處理相應(yīng)的問題時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生一種「漣漪效應(yīng)」。BMS體系結(jié)構(gòu)的一大目標(biāo)是盡可能地把這......
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地實(shí)現(xiàn)了集成電路，MOSF......
非隔離大功率 LED 驅(qū)動(dòng)近年來越來越受歡迎并開始成為大功率電源發(fā)展的方向，因?yàn)樗鼈兙哂袃?yōu)于隔離驅(qū)動(dòng)的獨(dú)特優(yōu)勢。以下是非隔離大功率 LED 驅(qū)動(dòng)的一些優(yōu)點(diǎn)：01 性價(jià)比高非隔離大功率LED驅(qū)動(dòng)的主要優(yōu)勢之一是其性價(jià)比。非......
APD 是光學(xué)應(yīng)用中經(jīng)常使用的光敏元件，在以硅或者鍺為材料制成的光電二極管的 P-N 結(jié)上加反偏電壓后，射入的光被 P-N 結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。增大反向偏置電壓的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生 “雪崩” (即光電流成倍的激增) 現(xiàn)象，因此......
MOSFET 的開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生交替周期，其中電流首先流入電感器，然后電感器放電。這會(huì)導(dǎo)致大的 dI/dt 和大的電壓尖峰。我們期待這種噪音。問題是 LC 濾波器在防止這些大電壓尖峰傳輸?shù)诫娐返钠溆嗖糠址矫嬗卸嘤行А＞推湫再|(zhì)......
低側(cè)檢測的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用相對(duì)簡單的配置來放大分流電阻器兩端的電壓。例如，通用運(yùn)算放大器的非反相配置可以成為需要能夠在消費(fèi)市場空間競爭的成本敏感型電機(jī)控制應(yīng)用的有效選擇。在低側(cè)電流檢測中使用單端放大器低側(cè)檢測的主要優(yōu)點(diǎn)......
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