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美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加......
DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價格訂為新臺幣14.5元，預期募集資金116億元，然近期股價受惠DRAM產(chǎn)業(yè)回春和DRAM價格反彈，因此一路上漲，最后完成定價，訂為每股約16.02元，與日前收......
在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應及新興市場庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年......
在DDR3內(nèi)存供應短缺并導致價格上漲之際，iSuppli公司日前把DRAM供應商的近期形勢評級調(diào)升到了“正面”。 自從2008年9月以來，iSuppli公司一直維持對DRAM市場的&ld......
Intel雖然提前發(fā)布了34nm工藝X25-M固態(tài)硬盤，并火速出現(xiàn)在市面上，但很快就曝出了固件缺陷，不得不暫時停止銷售。 第一批出貨的34nm X25-M固態(tài)硬盤使用的固件版本為02G2，經(jīng)Intel確認其中存......
據(jù)臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降......
去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下......
據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權(quán)芯片......
海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)......
7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此......
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