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頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片......
據外電報道，全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)計劃2年內為公司半導體部門投入高達19.3兆韓元(約合173.1億美元) 的投資。 《韓國經濟 (Korea Economic......
根據集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2......
相變存儲技術看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產品。 相變存儲屬于非易失性存儲技術，......
恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(PCM)的創新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備......
以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 然而......
日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世......
在渡過困難的09年后,全球半導體業迎來新一輪的高潮。市場相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都......
韓國半導體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2......
存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現停電意外，海力士宣稱僅發生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統支應，并未造成......
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