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閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的......
三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MH......
近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05......
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器......
據(jù)韓國ET NEWS報導(dǎo)，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 ......
據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。 據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司......
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲，但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能，飛索(......
全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強力支撐。然因市場對歐......
Maxim推出安全管理器MAX36051。器件具有128字節(jié)無痕跡存儲器，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)，待機模式下消耗極低的電池電流(1.5µA)。內(nèi)部篡改監(jiān)視電路和篡改檢測輸入連接至外部傳感器，為終端用戶提供極高......
核心提示：SSD是摒棄傳統(tǒng)磁介質(zhì)，采用電子存儲介質(zhì)進行數(shù)據(jù)存儲和讀取的一種技術(shù)，突破了傳統(tǒng)機械硬盤的性能瓶頸，擁有極高的存儲性能，被認(rèn)為是存儲技術(shù)發(fā)展的未來新星。 PCIe接口的極速固態(tài)硬盤 Matador P......
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