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據國外媒體報道，英特爾和Micron已經開始發布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個存儲......
iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調整到1美元/GB，這是因為用于閃存產品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術的演變讓內存單元的價位開始雪崩。 由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在......
過去臺灣在DRAM產業上的主要技術合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在制程技術上有很大差別，最大差別在于德系業者采用溝槽式(Trench)制程技術，在這一波金融風暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。 ......
SanDisk公司今天發布了一種固態驅動器，它可以為平板移動設備帶來和以往產品完全不同的快速體驗。 這種硬幣大小的產品被稱為iSSD，整個外形幾乎都是記憶體和控制器，但這卻獲得了比平常更多的NAND閃存速度，讀......
據美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現有最高級的磁記錄型硬......
英特爾和美光當地時間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產品的存儲容量。 新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB......
英特爾今天宣布和鎂光一起發布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較......
Yonhap News報導，全球第二大記憶體制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韓國證交所的文件中宣布，該公司將投資6,770億韓元(5.69億美元)擴充、升級現有的生產線，同時并將......
iSuppli警告稱，DRAM內存芯片供應緊張將導致今年下半年這類芯片價格上漲。 iSuppli指出，當前DRAM廠商面臨兩類供應問題：無法獲得必要的生產設備，部署先進生產工藝的大量工作。 DRAM芯片供......
據國外媒體報道，東芝近日表示，該公司計劃通過在新興經濟體尋找新供貨商，在未來三年內削減1萬億日元(約合116.4億美元)的支出。東芝表示，此次削減支出將主要在數字產品和家電領域。 東芝發言人表示，在截至2013......
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