平板端射天線陣饋電特性的研究
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表1025單元中心列各單元受互耦影響特性變化趨勢的仿真結果與實測結果對比表
軟件仿真 | 實驗測試 | |
S11幅度（dB） | 0.9981.02511.0941.031 | 1.0360.90910.9271.036 |
S11相位（度） | 1.0071.01511.0061.015 | 1.0761.10910.9571.118 |
駐波比 | 1.0020.97610.9190.972 | 0.9691.12511.0931 |
輸入電阻（歐） | 0.9890.99511.0420.998 | 0.9280.82711.0230.880 |
輸入電抗（歐） | 0.9930.98610.9550.981 | 0.9380.98611.0780.916 |
經過數據統計和分析對比，可以看到，饋電特性的各項指標，仿真的結果變化趨勢和實驗所測的變化趨勢基本一致，但是由于實際測試的陣列與仿真設計的陣列結構有一定的差別，在某些拐點處的偏差還比較大，但通過對比還是較好地驗證了仿真分析的準確性，說明了利用軟件模擬組陣模型分析互耦影響具有可靠性。
5結論
針對相控陣平板端射天線，本文主要做了有關天線單元耦合情況分析的研究，采用了計算仿真與實驗測試相結合的方式，在軸向排列，橫向排列，周邊排列三種不同角度上逐次分析陣中單元的輻射特性變化以及耦合影響的原因，通過實際測試的結果進行對比，驗證了計算仿真結果的正確性，同時也發現了一些不如預期的問題。本文還發現了單元處于陣中和處于自由空間條件差異時，s11相位和輸入阻抗變化的趨勢和規律，為今后做移相器的改進和添加匹配網絡提供了實驗基礎。
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