IGBT強驅動電路的設計及電流尖峰抑制方案 作者： 時間：2012-03-12 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 的大小一般通過多次實驗來確定。這個電容大小的選擇既要考慮使脈沖上升沿較陡，又不出現尖峰。 此驅動電路已在中頻脈沖滲碳電源中應用，配合器件過流過壓保護電路，能較好地滿足200 A／1 200 VIGBT模塊的驅動要求。同時對驅動大功率的MOSFET等場驅動開關管都有很好的借鑒作用。 穩壓二極管相關文章:穩壓二極管的作用 電路相關文章:電路分析基礎 電荷放大器相關文章:電荷放大器原理 電容相關文章:電容原理 脈沖點火器相關文章:脈沖點火器原理 上一頁 1 2 下一頁
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