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影晌開關電源可靠性的因素

作者: 時間:2012-09-26 來源:網絡 收藏

  從各研究機構研究的成果可以看出,環(huán)境溫度和負載率對的影響很大,這兩個方面對由于有很大的影響,所以下面將從這兩個方面分析如何設計出高可靠的。其中,PD為使用功率;PR為額定功率。UD為使用電壓;UR為額定電壓。

  1)環(huán)境溫度對元器件的影響

  表1~表3分別列出環(huán)境溫度對半導體器件、電容器和電阻器的影響。表1和表13以PD/PR=0.5使用負載設計,而表12則以UD/UR=0.65使用負載設計。


  表1 環(huán)境溫度對半導體器件的影響

  由表1可知,當環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時,半導體器件的失效率增大到30倍。

  由表2可知,當環(huán)境溫度Ta從20°C增加到80°C時,電容器的失效率增大到14倍。


  表2 環(huán)境溫度對電容器可靠性的影響

  從表3可知,當環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時,電阻器的失效率增大到4倍。


  表3環(huán)境溫度對電阻器可靠性的影晌

  2)負載率對元器件的影響

  表4和表5分別列出了負載率對半導體器件、電阻可靠性的影響。

  由表4可知,當PD/PR=0.8時,半導體器件的失效率是PD/PR=0.2時的1000倍。


  表4 負載率對半導體器件、電阻可靠性的影響(環(huán)境溫度50°C)

  從表5可知,當PD/PR=0.8時,電阻器的失效率是PD/PR=0.2時的8倍。


  表5負載率對電阻器可靠性的影響



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