目前，通常使用單層或雙層鋁基板作為熱沉，把單個芯片或多個芯片用固晶膠直接固定在鋁基板（或銅基板）上，LED芯片的p和n兩個電極則鍵合在鋁基板表層的薄銅板上。根據所需功率的大小確定底座上排列led芯片的數目，可組合封裝成1W、2W、3W等高亮度的大功率LED。最后，使用高折射率的材料按光學設計的形狀對集成的LED進行封裝。

這種芯片采用常規芯片，并高密度集成組合，其取光效率高、熱阻低，可以根據用戶的要求來組合電壓和電流，也可以根據用戶的要求制作成不同的體積和形狀。這種集成LED的價格比單芯片1W功率的LED要低，但是光效高，適合在燈具上作為背光源，并且路燈、景觀燈都可以采用。這是一種很有發展前景的LED大功率固體光源，其結構如圖1所示。

圖1 多芯片組合集成大功率LED示意圖

對于多芯片集成的大功率LED，在制作工藝上必須注意：

·要對LED芯片進行嚴格的挑選，正向電壓相差應在±0.1V之內，反向電壓要大于10V；制作時要特別注意防靜電，如果個別的芯片被靜電損壞，但是又無法檢出，那么這對整個大功率LED的性能影響很大。在固晶和焊線后，要按滿電流20mA點亮一個小時，合格后才能進行點熒光粉和灌膠。封裝好后，還要進行幾個小時的老化，然后進行測試和分選。

·在排列芯片時，要讓每個LED芯片之間有一定的間隙。

·在固晶時，LED芯片要保持一樣高度，不要出現有的芯片固晶膠較多，墊得很高，而有的又很低；只要芯片的底部粘有一定的固晶膠，可以固定住芯片即可（推力不小于100g）。在其他地方不要留有固晶膠，否則多余的固晶膠會吸收光線而不利于出光。

·因為芯片的排列可能有串聯、并聯之分，所以在焊線時，盡量保持每根金絲相隔一定的距離，并保持平行，不能交叉。金絲要有一定的弧度，并且不能從芯片上跨過。

·保持固晶下面的熱沉面光潔，讓光線能從底座反射回來，從而增加出光。因此在鋁基板上挖開的槽要光滑，這樣有利于出光。

·鋁基板挖槽的大小和深度，要根據芯片的多少和出光角度的大小來確定。

根據LED技術的發展，大功率的光源必須由多個芯片集成組合，所以多個芯片集成為大功率LED光源的技術和工藝必將不斷發展。