三、寫操作過程

　　寫操作的過程為: 1、發送寫開始指令；2、發送第1個cycle地址；3、發送第2個cycle地址；4、發送第3個cycle地址；5、發送第4個cycle地址；6、寫入數據至頁末；7、發送寫結束指令

　　下面通過分析寫入頁的代碼，闡述讀寫過程。

　　static void WritePage(U32 addr, U8 *buf) //addr表示flash中的第幾頁，即‘flash地址>>9’

　　{

　　U32 i;

　　NFChipEn(); //使能NandFlash

　　WrNFCmd(PROGCMD0); //發送寫開始指令’0x80’

　　WrNFAddr(0); //寫地址的第1個cycle

　　WrNFAddr(addr); //寫地址的第2個cycle

　　WrNFAddr(addr>>8); //寫地址的第3個cycle

　　WrNFAddr(addr>>16); 寫地址的第4個cycle

　　WaitNFBusy(); //等待系統不忙

　　for(i=0; i512; i++)

　　WrNFDat(buf[i]); //循環寫入1頁數據

　　WrNFCmd(PROGCMD1); //發送寫結束指令’0x10’

　　NFChipDs(); //釋放NandFlash

　　}

　　四、總結

　　本文以S3C2410處理器和k9f1208系統為例講述了nand flash的讀寫過程。在讀寫過程中沒有考慮到壞塊問題，有關ecc及壞塊處理問題將在下個專題中講述。