運作面：

　　絕佳的穩定性，由于負汲極電流溫度常數，所以不受熱散失的影響

　　比雙載子更能忍受較高的負載未匹配現象 (VSWR)，提高現場實際應用的可靠度

　　卓越的射頻穩定度，在閘極與汲極間內置隔離層，可以降低回授電容

　　在平均無故障時間 (MTTF) 上有相當好的可靠度

　　LDMOS 的優勢

　　技術面：

　　卓越的效率，可降低功率消耗與冷卻成本

　　卓越的線性度，可將信號預校正需求降到最低

　　優化超低熱阻抗，可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度

　　卓越的尖峰功率能力，可帶來最少數據錯誤率的高 3G 數據率

　　高功率密度，使用較少的晶體管封裝

　　超低感抗、回授電容與串流閘阻抗，目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善

　　直接源極接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質的需求

　　在 GHz 頻率下擁有高功率增益，帶來更少設計步驟、更簡易更具成本效益的設計 (采用低成本、低功率驅動晶體管)