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細分半導體設備市場

作者: 時間:2010-09-16 來源:SST 收藏

  代工,2011與2010年相比下降20%。

本文引用地址:http://www.cqxgywz.com/article/112700.htm

  全球頂級代工的產能利用率將在Q42010至Q12011看到季節性減弱。Muse認為,臺積電在fabless, 如Nvidia等減少訂單的影響下, 所以其2011年投資下降30%。臺積電CEO Morris張可能轉變投資策略, 這可能是受宏觀經濟大環境的影響。對于聯電因受Xilinx的訂單轉向三星及臺積電的影響而下降投資。在另一方面,三星LSI將繼續增加投資, 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

  DRAM 2011與2010年相比下降15%。

  因為DRAM的價格持續波動, 預計直到Q1 2011仍是季節性的弱勢。尤其是頂級供應商如Samsung,Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術, 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產能利用率不高), 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競爭者的積極投資推動下三星將繼續跟進投資。



關鍵詞: 半導體 存儲器

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